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SI9933CDY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI9933CDY-T1-E3
- 商品编号
- C144910
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):0.094Ω@2.5V,4A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):26nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):665pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.094Ω@2.5V,4A | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.65/个 |
| 10+ | ¥3.83/个 |
| 30+ | ¥3.42/个 |
| 100+ | ¥3.01/个 |
| 500+ | ¥2.77/个 |
| 1000+ | ¥2.64/个 |
| 2500+ | ¥2.62/个 |
| 5000+ | ¥2.6/个 |
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