反向传输电容(Crss):22pF,导通电阻(RDS(on)):1.77Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):250pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):0.84A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.25mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 22pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.77Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3W | |
输入电容(Ciss) | 250pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.84A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.25mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.66/个 |
10+ | ¥2.06/个 |
30+ | ¥1.8/个 |
100+ | ¥1.48/个 |
500+ | ¥1.33/个 |
1000+ | ¥1.24/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.24
3000 PCS/盘