射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@50mA,5mA,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):200mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 250MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@50mA,5mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 200mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.126/个 |
500+ | ¥0.0991/个 |
3000+ | ¥0.0841/个 |
6000+ | ¥0.0751/个 |
24000+ | ¥0.0673/个 |
51000+ | ¥0.0631/个 |
99000+ | ¥0.0624/个 |
201000+ | ¥0.0619/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07737
3000 PCS/盘
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