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DMN1019UVT-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN1019UVT-7
- 商品编号
- C145104
- 商品封装
- TSOT-26
- 商品毛重
- 0.000067千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):394pF,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@1.2V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50.4nC@8V,漏源电压(Vdss):12V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.73W,输入电容(Ciss):2588pF,输出电容(Coss):415pF,连续漏极电流(Id):10.7A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 394pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.2V,5.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.4nC@8V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.73W | |
| 输入电容(Ciss) | 2588pF | |
| 输出电容(Coss) | 415pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.125/个 |
| 50+ | ¥0.889/个 |
| 150+ | ¥0.788/个 |
| 500+ | ¥0.662/个 |
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