反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):123mΩ@2.5V,2.6A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 123mΩ@2.5V,2.6A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.587/个 |
50+ | ¥0.472/个 |
150+ | ¥0.414/个 |
500+ | ¥0.371/个 |
3000+ | ¥0.336/个 |
6000+ | ¥0.319/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.30912
3000 PCS/盘
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