射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1V,耗散功率(Pd):1000mW,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):400mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):150mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 250MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 1000mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 150mA |