反向传输电容(Crss):46pF,导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@4.5V,7.3A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):553pF,输出电容(Coss):99pF,连续漏极电流(Id):8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@4.5V,7.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.32/个 |
| 10+ | ¥1.81/个 |
| 30+ | ¥1.6/个 |
| 100+ | ¥1.33/个 |
| 500+ | ¥1.21/个 |
| 1000+ | ¥1.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0602
3000 PCS/盘
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