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MJD350T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD350T4G
- 商品编号
- C145514
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):3V,工作温度:-65℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):10MHz,直流电流增益(hFE):240@50mA,10V,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):300V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):0.1mA,集电极电流(Ic):0.5A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 10MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 240@50mA,10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@100mA,10mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1mA | |
| 集电极电流(Ic) | 0.5A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.98/个 |
| 10+ | ¥2.35/个 |
| 30+ | ¥2.08/个 |
| 100+ | ¥1.74/个 |
| 500+ | ¥1.5/个 |
| 1000+ | ¥1.4/个 |
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