反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):±20V,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):300pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):170mA,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.04/个 |
| 10+ | ¥8.38/个 |
| 30+ | ¥7.47/个 |
| 100+ | ¥6.44/个 |
| 500+ | ¥5.98/个 |
| 1000+ | ¥5.78/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3176
2000 PCS/盘
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