反向传输电容(Crss):5.6pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,6.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.5nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):791pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V,6.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 791pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.17/个 |
| 10+ | ¥5.04/个 |
| 50+ | ¥4.48/个 |
| 100+ | ¥3.92/个 |
| 500+ | ¥3.58/个 |
| 1000+ | ¥3.41/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.1216
50 PCS/盘
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