反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):1.75Ω@4.5V,100mA,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1000mW,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):5.5pF,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):2.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@4.5V,100mA | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1000mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 5.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 400mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.107/个 |
500+ | ¥0.0819/个 |
3000+ | ¥0.0681/个 |
6000+ | ¥0.0599/个 |
24000+ | ¥0.0527/个 |
51000+ | ¥0.0488/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06265
3000 PCS/盘
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