反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,50A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):72nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):142W,输入电容(Ciss):6000pF,输出电容(Coss):1100pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1.0mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 输入电容(Ciss) | 6000pF | |
| 输出电容(Coss) | 1100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.87/个 |
| 10+ | ¥6.44/个 |
| 30+ | ¥5.66/个 |
| 100+ | ¥4.388/个 |
| 500+ | ¥4.0296/个 |
| 1000+ | ¥3.864/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.728
5000 PCS/盘
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