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NTR1P02LT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTR1P02LT1G
- 商品编号
- C146716
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):55pF@5V,导通电阻(RDS(on)):0.22Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):225pF@5V,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.22Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@5V | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.732/个 |
| 50+ | ¥0.571/个 |
| 150+ | ¥0.49/个 |
| 500+ | ¥0.43/个 |
| 3000+ | ¥0.381/个 |
| 6000+ | ¥0.357/个 |
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