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MJD5731T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MJD5731T4G
- 商品编号
- C146733
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):10MHz,直流电流增益(hFE):30@300mA,10V,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@1.0A,0.2A,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):1A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 10MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 30@300mA,10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@1.0A,0.2A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
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