反向传输电容(Crss):410pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@4.5V,8.8A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):76pF,输出电容(Coss):580pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,8.8A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 76pF | |
| 输出电容(Coss) | 580pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.14/个 |
| 10+ | ¥4.24/个 |
| 30+ | ¥3.78/个 |
| 100+ | ¥3.33/个 |
| 500+ | ¥3.06/个 |
| 1000+ | ¥2.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.6864
4000 PCS/盘
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