射基极击穿电压(Vebo):3V,工作温度:-,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):7GHz,直流电流增益(hFE):125@20mA,10V,耗散功率(Pd):200mW,集射极击穿电压(Vceo):12V,集射极饱和电压(VCE(sat)):-,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 7GHz | |
直流电流增益(hFE) | 125@20mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 100mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.201/个 |
200+ | ¥0.159/个 |
600+ | ¥0.136/个 |
3000+ | ¥0.123/个 |
9000+ | ¥0.111/个 |
21000+ | ¥0.104/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11316
3000 PCS/盘
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