反向传输电容(Crss):220pF,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):170nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):6860pF,连续漏极电流(Id):127A,阈值电压(Vgs(th)):4V@150uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 220pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,75A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 6860pF | |
连续漏极电流(Id) | 127A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.46/个 |
10+ | ¥8.85/个 |
30+ | ¥7.97/个 |
100+ | ¥5.38/个 |
500+ | ¥4.93/个 |
800+ | ¥4.73/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.728
800 PCS/盘
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