反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,58A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):340pF,连续漏极电流(Id):97A,阈值电压(Vgs(th)):4V@150uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,58A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.93/个 |
| 10+ | ¥8.36/个 |
| 30+ | ¥7.38/个 |
| 100+ | ¥6.252/个 |
| 500+ | ¥5.802/个 |
| 800+ | ¥5.615/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.514
800 PCS/盘
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