反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V,4.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1530pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,4.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1530pF | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.1/个 |
| 10+ | ¥6.0228/个 |
| 30+ | ¥5.349/个 |
| 100+ | ¥4.656/个 |
| 500+ | ¥4.347/个 |
| 1000+ | ¥4.208/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.208
4000 PCS/盘