反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):5.7mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:-,耗散功率(Pd):114W,输入电容(Ciss):3900pF,输出电容(Coss):1000pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@73uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 114W | |
输入电容(Ciss) | 3900pF | |
输出电容(Coss) | 1000pF | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@73uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.74/个 |
10+ | ¥3.85/个 |
30+ | ¥3.41/个 |
100+ | ¥2.98/个 |
500+ | ¥2.38/个 |
1000+ | ¥2.25/个 |
2000+ | ¥2.22/个 |
5000+ | ¥2.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.163
5000 PCS/盘
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