反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ@10V,90A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):160nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):137W,输入电容(Ciss):11300pF,输出电容(Coss):3050pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2V@253uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,90A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 137W | |
| 输入电容(Ciss) | 11300pF | |
| 输出电容(Coss) | 3050pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@253uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.55/个 |
| 10+ | ¥8.93/个 |
| 30+ | ¥8.04/个 |
| 100+ | ¥7.03/个 |
| 500+ | ¥6.59/个 |
| 1000+ | ¥6.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.8696
2500 PCS/盘
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