反向传输电容(Crss):78pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):1045pF,输出电容(Coss):102pF,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 78pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 1045pF | |
输出电容(Coss) | 102pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.456/个 |
100+ | ¥0.365/个 |
300+ | ¥0.319/个 |
3000+ | ¥0.285/个 |
6000+ | ¥0.258/个 |
9000+ | ¥0.244/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2622
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉68.4元