反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@1.8V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):725pF,输出电容(Coss):175pF,连续漏极电流(Id):7.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 输出电容(Coss) | 175pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | 
| 梯度 | 售价 | 
|---|---|
| 1+ | ¥0.786/个 | 
| 50+ | ¥0.637/个 | 
| 150+ | ¥0.563/个 | 
| 500+ | ¥0.507/个 | 
| 3000+ | ¥0.388/个 | 
| 6000+ | ¥0.365/个 | 
整盘
单价
整盘单价¥0.35696
3000 PCS/盘
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