反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 750pF | |
输出电容(Coss) | 95pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.441/个 |
50+ | ¥1.139/个 |
150+ | ¥1.0092/个 |
500+ | ¥0.848/个 |
3000+ | ¥0.728/个 |
6000+ | ¥0.685/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.66976
3000 PCS/盘
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