反向传输电容(Crss):76pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):770pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.523/个 |
| 50+ | ¥0.332/个 |
| 150+ | ¥0.219/个 |
| 500+ | ¥0.186/个 |
| 3000+ | ¥0.143/个 |
| 6000+ | ¥0.135/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.143
3000 PCS/盘