反向传输电容(Crss):135pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@4.5V,5.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1950pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 135pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V,5.9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1950pF | |
输出电容(Coss) | 250pF | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.828/个 |
10+ | ¥1.45/个 |
30+ | ¥1.288/个 |
100+ | ¥1.0863/个 |
500+ | ¥0.996/个 |
1000+ | ¥0.884/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.81328
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉212.16元