反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,5.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):625pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.472/个 |
| 100+ | ¥0.376/个 |
| 300+ | ¥0.328/个 |
| 3000+ | ¥0.292/个 |
| 6000+ | ¥0.263/个 |
| 9000+ | ¥0.249/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.26864
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉70.08元