反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):8.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.988/个 |
| 50+ | ¥0.784/个 |
| 150+ | ¥0.696/个 |
| 500+ | ¥0.587/个 |
| 3000+ | ¥0.548/个 |
| 6000+ | ¥0.518/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.50416
3000 PCS/盘
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