反向传输电容(Crss):385pF,导通电阻(RDS(on)):7.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):4.2W,输入电容(Ciss):2956pF,输出电容(Coss):500pF,连续漏极电流(Id):17.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 385pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 4.2W | |
输入电容(Ciss) | 2956pF | |
输出电容(Coss) | 500pF | |
连续漏极电流(Id) | 17.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.27/个 |
10+ | ¥1.76/个 |
30+ | ¥1.55/个 |
100+ | ¥1.28/个 |
500+ | ¥1.15/个 |
1000+ | ¥1.07/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.061
3000 PCS/盘
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