反向传输电容(Crss):72pF,导通电阻(RDS(on)):62mΩ@4.5V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):7.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):668pF,输出电容(Coss):98pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 72pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V,4.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 668pF | |
输出电容(Coss) | 98pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.803/个 |
10+ | ¥1.417/个 |
30+ | ¥1.252/个 |
100+ | ¥1.0458/个 |
500+ | ¥0.954/个 |
1000+ | ¥0.849/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.849
3000 PCS/盘