反向传输电容(Crss):60pF@20V,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V,6A,工作温度:-,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):815pF@20V,输出电容(Coss):95pF,输出电容(Coss):98pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 输出电容(Coss) | 98pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.753/个 |
| 10+ | ¥1.412/个 |
| 30+ | ¥1.267/个 |
| 100+ | ¥1.0848/个 |
| 500+ | ¥1.00377/个 |
| 1000+ | ¥0.786/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.786
3000 PCS/盘