反向传输电容(Crss):210pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):53W,输入电容(Ciss):3213pF,输出电容(Coss):570pF,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 输入电容(Ciss) | 3213pF | |
| 输出电容(Coss) | 570pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.381/个 |
| 10+ | ¥1.0846/个 |
| 30+ | ¥0.958/个 |
| 100+ | ¥0.8/个 |
| 500+ | ¥0.729/个 |
| 1000+ | ¥0.622/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.622
2500 PCS/盘