反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):530pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 530pF | |
输出电容(Coss) | 85pF | |
连续漏极电流(Id) | 28A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.626/个 |
10+ | ¥1.278/个 |
30+ | ¥1.129/个 |
100+ | ¥0.943/个 |
500+ | ¥0.861/个 |
1000+ | ¥0.804/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.73968
2500 PCS/盘
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