反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):58mΩ@6V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):52.1W,输入电容(Ciss):5387pF,输出电容(Coss):192pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@6V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 5387pF | |
| 输出电容(Coss) | 192pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.232/个 |
| 10+ | ¥1.737/个 |
| 30+ | ¥1.521/个 |
| 100+ | ¥1.251/个 |
| 500+ | ¥1.125/个 |
| 1000+ | ¥1.053/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.053
2500 PCS/盘