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MMBT3904LT3G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MMBT3904LT3G
- 商品编号
- C150052
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):300MHz,直流电流增益(hFE):40@0.1mA,1.0V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):200mV,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):200mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 40@0.1mA,1.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
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