反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):9Ω@1.2V,10mA,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):0.34nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):36pF,输出电容(Coss):12pF,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@100uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@1.2V,10mA | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 0.34nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
输入电容(Ciss) | 36pF | |
输出电容(Coss) | 12pF | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@100uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.537/个 |
50+ | ¥0.354/个 |
150+ | ¥0.262/个 |
500+ | ¥0.193/个 |
2500+ | ¥0.138/个 |
5000+ | ¥0.11/个 |
8000+ | ¥0.104/个 |
16000+ | ¥0.101/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.104
8000 PCS/盘