反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@2.5V,2.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):676pF,输出电容(Coss):54pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V,2.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 676pF | |
输出电容(Coss) | 54pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.537/个 |
50+ | ¥0.42/个 |
150+ | ¥0.361/个 |
500+ | ¥0.317/个 |
3000+ | ¥0.282/个 |
6000+ | ¥0.265/个 |
9000+ | ¥0.261/个 |
21000+ | ¥0.259/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25944
3000 PCS/盘
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