反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):808pF@15V,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 77pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 808pF@15V | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.351/个 |
100+ | ¥0.281/个 |
300+ | ¥0.247/个 |
3000+ | ¥0.198/个 |
6000+ | ¥0.177/个 |
9000+ | ¥0.166/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18216
3000 PCS/盘
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