反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):808pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 808pF | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.854/个 |
| 50+ | ¥0.71/个 |
| 150+ | ¥0.637/个 |
| 500+ | ¥0.583/个 |
| 3000+ | ¥0.492/个 |
| 6000+ | ¥0.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.45264
3000 PCS/盘
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