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ZXMN3A06DN8TA
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- ZXMN3A06DN8TA
- 商品编号
- C150476
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000388千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):83.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.05Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):796pF,输出电容(Coss):137pF,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 83.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.05Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 796pF | |
| 输出电容(Coss) | 137pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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