反向传输电容(Crss):102pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19.3nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):931pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 102pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
输入电容(Ciss) | 931pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.289/个 |
50+ | ¥1.012/个 |
150+ | ¥0.893/个 |
500+ | ¥0.745/个 |
2500+ | ¥0.679/个 |
5000+ | ¥0.639/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.62468
2500 PCS/盘
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