反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,1.14A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):150V,类型:-,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):330pF,输出电容(Coss):420pF,连续漏极电流(Id):1.9A,阈值电压(Vgs(th)):5.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V,1.14A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 330pF | |
输出电容(Coss) | 420pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.584/个 |
10+ | ¥2.288/个 |
30+ | ¥2.14/个 |
100+ | ¥1.992/个 |
500+ | ¥1.905/个 |
1000+ | ¥1.853/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.853
4000 PCS/盘