反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,5.0A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,5.0A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.38W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.432/个 |
100+ | ¥0.34/个 |
300+ | ¥0.294/个 |
3000+ | ¥0.26/个 |
6000+ | ¥0.233/个 |
9000+ | ¥0.219/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2392
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉62.4元