反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@1.8V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):151pF,输出电容(Coss):91pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 32pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@1.8V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.3W | |
输入电容(Ciss) | 151pF | |
输出电容(Coss) | 91pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.508/个 |
50+ | ¥0.397/个 |
150+ | ¥0.342/个 |
500+ | ¥0.3/个 |
3000+ | ¥0.267/个 |
6000+ | ¥0.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24564
3000 PCS/盘
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