反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):250mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.8nC@5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@3.7uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@3.7uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.693/个 |
50+ | ¥0.568/个 |
150+ | ¥0.506/个 |
500+ | ¥0.459/个 |
3000+ | ¥0.352/个 |
6000+ | ¥0.333/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.32384
3000 PCS/盘
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