反向传输电容(Crss):3.8pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.15A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):19.1pF,输出电容(Coss):7.3pF,连续漏极电流(Id):0.15A,阈值电压(Vgs(th)):2V@20uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,0.15A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 19.1pF | |
| 输出电容(Coss) | 7.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@20uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.363/个 |
| 100+ | ¥0.291/个 |
| 300+ | ¥0.255/个 |
| 3000+ | ¥0.228/个 |
| 6000+ | ¥0.206/个 |
| 9000+ | ¥0.195/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20976
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉54.72元