反向传输电容(Crss):480pF,导通电阻(RDS(on)):0.008Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):170nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):4000pF,输出电容(Coss):1300pF,连续漏极电流(Id):64A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 480pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.008Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 63W | |
输入电容(Ciss) | 4000pF | |
输出电容(Coss) | 1300pF | |
连续漏极电流(Id) | 64A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥23.08/个 |
10+ | ¥19.88/个 |
50+ | ¥17.98/个 |
100+ | ¥16.05/个 |
500+ | ¥15.16/个 |
1000+ | ¥14.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥16.5416
50 PCS/盘
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