反向传输电容(Crss):47pF,导通电阻(RDS(on)):165mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):708pF,输出电容(Coss):57pF,连续漏极电流(Id):3.3A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 708pF | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.525/个 |
| 50+ | ¥0.419/个 |
| 150+ | ¥0.366/个 |
| 500+ | ¥0.327/个 |
| 3000+ | ¥0.275/个 |
| 6000+ | ¥0.259/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.253
3000 PCS/盘
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