反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):14Ω@10V,200mA,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):330mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V,200mA | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 330mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.895/个 |
50+ | ¥0.626/个 |
150+ | ¥0.479/个 |
500+ | ¥0.406/个 |
3000+ | ¥0.373/个 |
6000+ | ¥0.353/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.373
3000 PCS/盘