反向传输电容(Crss):2.2pF,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@4V,250mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):0.9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):23.2pF,输出电容(Coss):3pF,连续漏极电流(Id):380mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4V,250mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 输入电容(Ciss) | 23.2pF | |
| 输出电容(Coss) | 3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.307/个 |
| 100+ | ¥0.245/个 |
| 300+ | ¥0.214/个 |
| 3000+ | ¥0.19/个 |
| 6000+ | ¥0.172/个 |
| 9000+ | ¥0.162/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1748
3000 PCS/盘
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