反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):5.3Ω@4.5V,50mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:-,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V,50mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 30pF | |
连续漏极电流(Id) | 500mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.215/个 |
200+ | ¥0.166/个 |
600+ | ¥0.139/个 |
3000+ | ¥0.122/个 |
9000+ | ¥0.108/个 |
21000+ | ¥0.1/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11224
3000 PCS/盘
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